【環球時報駐韓國特派記者 莽九晨】據韓聯社23日報道,韓國科技評估與規劃研究院當天發布的調查報告顯示,韓國絕大多數半導體技術已被中國趕超。
該研究院針對39名韓國專家進行問卷調查的結果顯示,截至去年,韓國所有半導體領域的基礎力量均落后於中國。若將技術最先進國家的水平設為100%,韓國在高集成度、低阻抗存儲芯片技術領域為90.9%,低於中國(94.1%)﹔在高性能、低功耗的人工智能(AI)芯片領域,韓國(84.1%)不及中國(88.3%)。在功率半導體方面,韓國為67.5%,中國高達79.8%﹔在新一代高性能傳感技術方面,韓中兩國分別為81.3%和83.9%﹔半導體先進封裝技術方面,兩國均為74.2%。
據報道,在針對半導體領域整體技術生命周期的問卷調查中,韓國在工藝和量產方面領先於中國,但在技術、原創及設計領域落后於中國。而從商業化角度來看,韓國僅在高集成度、低阻抗存儲芯片和先進封裝方面領先中國。值得關注的是,參與此次調查的專家在2022年認為韓國在高集成度、低阻抗存儲芯片、先進封裝以及新一代高性能傳感技術等方面均領先中國,但僅兩年就改變了看法。
專家們認為,韓國半導體技術水平未來面臨的問題主要有核心人才流失、AI芯片技術、中美競爭、本國優先政策、供應鏈本地化等,其中隻有AI芯片技術可能對韓國的技術水平產生積極影響。
韓國《首爾經濟》23日注意到,中國在美國施加的巨大壓力下仍取得了這樣的成果。韓國YTN電視台評論稱,推動“半導體崛起”的中國在10年間持續進行國家層面的大規模投資,相關成果逐漸顯現。“尤其令人擔憂的是”,韓企在具有優勢的存儲器領域和戰略價值較高的傳感器領域,時隔兩年被中國反超。韓國半導體產業協會專務理事安基鉉(音)表示,中國投入相當多的研究開發費用支持學校或研究機構,以確保人才和原創技術,形成了整個產業的基礎。
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