三星电子首发全球最大容量V-NAND

　　据韩联社报道，三星电子当地时间8日参加美国加州圣克拉拉会展中心举行的“2017闪存峰会（FMS，Flash Memory Summit 2017）”，并在展会上首次公开了容量高达1TB的V-NAND。

　　V-NAND是利用立体（3D）堆叠技术封装更多cell单元的垂直闪存，较512GB提高1倍，采用16层堆叠可以生产出容量达2TB的闪存，大幅提升储存容量。一部2小时的HD高画质电影通常为1.5-2GB，也就意味着1TB的闪存能存下约60-70部电影。三星电子本次发布的1TBV-NAND将很快运用于SSD（固态硬盘）上，计划明年推出最大容量的SSD产品。

　　同时三星电子在峰会上还提出了新的SSD标准，即“NGSFF（Next Generation Small Form Factor）”，预计于今年第四季度开始量产NGSFF SSD，这将最大限度地提高服务器存储数据容量。三星方面表示，现有服务器如全部替换使用NGSFF级别的SSD，存储容量将提高4倍，帮助数据中心和服务器客户建立高效系统。

　　三星电子还在峰会上发布了Z-SSD和Key Value SSD，Z-SSD能将读写速度提高7-12倍，可应用于实时大数据分析和高性能服务器缓存，Key Value SSD可让多种数据无需转换便可直接存储。

　　SSD硬盘是一种取代HHD硬盘的存储设备，利用NAND闪存或是D-Ram等超高速半导体存储器，不仅能够提速，还能减少机械卡顿、发热和噪音。

　　三星存储器部门高层表示，2013年三星电子在全球率先实现V-NAND（第一代，24层）量产，今年已实现第四代V-NAND的量产引领创新，未来三星电子将积极应对人工智能（AI）、大数据等未来高新半导体的需求。