三星在美投资芯片工厂:为下代旗舰机

2016年11月03日14:25  来源:中关村在线
 

  据外媒报道,三星电子计划在明年年初的时候对位于美国得克萨斯州的奥斯汀工厂投入10亿美元,以期进一步推动工厂的移动芯片生产线的进一步提升。三星公司对外表示,这项投资将用于扩大电子半导体制造。这家工厂也将为三星接下来的旗舰机提供更多组件以及芯片。

三星在美投资芯片工厂:为下代旗舰机

  三星在美投资芯片工厂:为下代旗舰机(图片来自于谷歌)

  尽管三星生产速度近来出现了放缓的状况,但这显然无法阻止其扩大其移动芯片生产。许多其他的竞争对手都在美国建有制造工厂,比如英特尔和Global Foundries公司。英特尔最近签署了一项协议,来制造基于ARM的移动芯片,并将为其在美国工厂制造的LG手机提供智能手机芯片。

  十月下旬的时候,三星在官方网站上正式公布,该公司即将推出业界首款8GB LPDDR4 DRAM内存芯片。这次的8GB LPDDR4内存芯片采用10纳米级工艺制造,内存的速度为4266Mbps,与PC机所用的DDR4 DRAM典型值要快上两倍。

  就在同一周,三星电子宣布10纳米制程工艺芯片将正式投入量产。这也让三星成为首家生产10纳米制程工艺芯片的厂家。在公告中三星还提到,明年年初他们会正式发布一款10纳米制程工艺芯片,不过这款芯片的具体信息还未被提及。

(责编:李美玉、梁倩)